浮思特科技
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浮思特-SIC Module
浮思特研发的MPRA1C65-S61 SIC模块采用了先进的碳化硅(SiC)半导体技术，以其卓越的性能和创新的设计，重新定义了功率电子的标准。它不仅拥有更高的热导率和更低的导通电阻，还能够在极端的工作条件下保持稳定，显著提升了系统的整体效率和可靠性。
浮思特 MPRA1C65-S61 封装信息：
封装电路图：
特征：
几乎无开关损耗
可忽略的反向恢复
更高的开关频率
高浪涌电流能力
提高的系统效率
优势：
开关特性几乎与温度无关
正的温度系数
散热的要求
RoHS无卤素/符合RoHS标准
无论是在高温环境下的持久运行，还是在高频率下的精确控制，MPRA1C65-S61 SiC模块都能提供无与伦比的性能表现。浮思特的这款碳化硅模块，将为电动汽车、可再生能源系统和工业电机驱动等关键领域带来革命性的变化。
