近日，瑞萨电子公司以价值约 3.39 亿美元的全现金交易收购了宽带隙氮化镓 (GaN) 半导体技术开发领域的领导者 Transphorm, Inc.。此次收购将使瑞萨能够在内部为快速增长的电动汽车 (EV)、数据中心、工业电力和可再生能源市场开发高电压、功率密集的 GaN 解决方案。

　　作为将“人工智能无处不在”战略扩展到汽车市场计划的一部分，英特尔将收购 Silicon Mobility SAS。Silicon Mobility 总部位于法国瓦尔邦讷，是一家初创(B 轮)无晶圆厂半导体和软件公司，开发片上系统 (SoC) 解决方案，以高效管理混合动力和电动汽车中的电动机、电池和能源管理系统。

　　扩展瑞萨电子宽禁带产品组合

　　就在去年，瑞萨电子通过投资内部碳化硅 (SiC) 生产线进入宽带隙(WBG) 器件市场，并与 Wolfspeed 签订了长期 SiC 晶圆供应协议。

　　收购 Transphorm 将补充该公司最近的 SiC 投资，从而能够与 SiC 一起开发 GaN 器件。此次扩张意味着瑞萨电子可以提供更全面的宽带隙产品组合。

　　SiC 和 GaN 器件正在共同改变电力电子行业，使电路能够在越来越高的电压、频率和功率密度下运行。虽然 SiC 和 GaN 经常正面竞争，但它们确实为设计组合带来了不同的功能。SiC 通常在要求最高电压的应用中表现更好，而功率密度最高的应用通常依赖 GaN 的极高开关速度。

　　Transphorm 的 SuperGaN FET 技术采用专有的共源共栅器件架构来提高性能并使 GaN 器件更易于使用。瑞萨电子首席执行官柴田秀俊 (Hidetoshi Shibata) 表示，收购 Transphorm 将使该公司能够巩固其在高压 IGBT 和 SiC 领域的发展势头，扩大其整体电源产品组合，从而成为增长引擎。

　　软件定义车辆

　　英特尔收购 Silicon Mobility 是其更大计划的一部分，该计划旨在将最新的人工智能 (AI) 技术集成到其软件定义车辆 (SDV) 解决方案中。

　　据英特尔介绍，现代汽车包含超过一英里的内部铜缆，连接 100 多个单独的电子控制单元(ECU)，每个电子控制单元都有特定的用途。SDV 的概念是使用更少的通用处理器(硬件)并配置软件来管理车辆内的多种功能。结果是一个性能更好、更具成本效益的系统。

　　在收购 Silicon Mobility 的同时，英特尔还推出了一系列内部开发的 SoC，专为 GenAI 和基于摄像头的驾驶员/乘客监控等车载人工智能应用而设计。汽车 OEM Zeekr 将成为首批在其车辆平台中采用新技术的公司之一。

　　就Silicon Mobility而言，他们将其OLEA APP逆变器和FPCU解决方案推广为可配置的现成硬件/软件解决方案，能够控制任何类型的电动机，包括永磁体和非永磁体、轴向和径向、同步和异步，以及许多阶段。

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