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英飞凌融合硅、碳化硅(SiC)和氮化镓于新型电源模块中

作者: 浮思特科技2024-06-18 13:43:16

  英飞凌科技推出了一系列先进的电源模块(PSU),专为人工智能数据中心设计。这些PSU的功率范围从3千瓦到12千瓦,利用新型半导体技术实现了极高的效率。

  深入了解英飞凌8千瓦的AI电源模块

  这款8千瓦的PSU解决方案采用了混合开关方法,整合了三种类型的半导体:碳化硅(SIC)、氮化镓(GaN)和硅。每种材料的战略性应用使性能得到优化。SiC用于无桥图腾柱功率因数校正(PFC),因为其RDS(on)的温度系数较低,在高温下提高了效率。GaN晶体管用于高频全桥谐振转换器(LLC),由于其电容较低,使得开关频率更高,功率密度提升。硅器件则用于开关损耗最小的地方,提供低RDS(on)。

电源模块

  关键组件包括CoolSiC MOSFET(650V)、CoolGaN晶体管(650V)、CoolMOS 8 SJ MOSFET(600V)、CoolSiC肖特基二极管(650V)和OptiMOS 5功率MOSFET(80V)。此外,数字隔离器(ISOFACE)和各种EiceDRIVER组件也有助于PSU的高性能和安全性。

电源模块

  效率

  PSU实现了98%的标杆效率,减少了冷却需求,提高了整体系统的可靠性。其功率密度高达100 W/in³,是ORv3规范的两倍,因而具有紧凑的外形尺寸,适用于现代AI机架基础设施。PSU使用单相高线电网输入,范围从180 VAC到305 VAC,输出为标称50 VDC。它可以提供高达160A的电流,最大输出功率为8千瓦,足以满足高功率人工智能应用的需求。

  电源管理

  该PSU采用全数字控制来管理交错无桥图腾柱PFC和全桥LLC,增强了电源管理的精确度和灵活性,确保在不同负载条件下的最佳性能。专有和集成的磁性设计进一步优化了PSU的效率和性能。为了在保持高功率密度的同时满足严格的保持时间要求,PSU集成了一个辅助升压电路。该电路利用中间能量存储,减少了对笨重电容器的需求,提高了系统的可靠性。

  应对AI需求

  随着AI工作负载在数据中心计算中的比例增加,开发者需要更高效能和高效率的电源供应。通过在同一设备中巧妙利用硅、SiC和GaN的优势,英飞凌的新一代AI PSU为解决这一问题迈出了一步。该解决方案可适应AI应用不断增长的能源需求,使数据中心能够在保持能源效率的同时自由适应未来的需求,减少对环境的影响。

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