意法半导体(STMicroelectronics)正在推出其第四代STPOWER硅碳化物(SIC)MOSFET技术。第四代技术在功率效率、功率密度和耐用性方面树立了新的标准。这项新技术专门针对电动车(EV)动力系统的核心组件——牵引逆变器，同时也满足汽车和工业市场的需求。公司计划在2027年前实施更多先进的SiC技术开发，以致力于创新。

　　作为全球硅碳化物功率MOSFET的领导者，意法半导体正在推动创新，以利用SiC相较于硅器件的卓越效率和增强的功率密度。目前一代SiC器件旨在提升未来电动车牵引逆变器平台，包括在尺寸和能效方面的改进。尽管电动车市场在扩张，但在实现主流接受方面仍面临障碍，促使制造商专注于生产更具经济性的电动汽车。

　　利用硅碳化物的800V电动车巴士驱动系统加快了充电速度，减少了车辆重量，使制造商能够推出续航更长的豪华版本。意法半导体最新的SiC MOSFET器件提供750V和1200V两个电压等级，将提高400V和800V电动车巴士牵引逆变器的能效和性能，将SiC的优势扩展到中型和紧凑型电动车，这些都是促进大众市场接受的关键领域。最新一代SiC技术适用于众多高功率工业应用，例如太阳能逆变器、能源储存系统和数据中心，显著提升这些日益增长的用途的能效。

　　意法半导体已完成其第四代SiC技术平台750V等级的认证，并预计在2025年第一季度完成1200V等级的认证。额定电压为750V和1200V的器件将很快上市，帮助设计师满足从传统交流电压到高压电动车电池和充电器的应用需求。意法半导体第五代SiC功率器件将采用一种新型高功率密度技术，使用平面结构。同时，意法半导体正在推进一项突破性进展，确保在高温下具有卓越的导通电阻RDS(on)值，并相较于现有SiC技术进一步降低RDS(on)。

浮思特科技专注功率器件领域，为客户提供IGBT、IPM模块等功率器件以及MCU和触控芯片，是一家拥有核心技术的电子元器件供应商和解决方案商。