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HITACHI(日立)-IGBT Module

Diode Module

MDM1200H45E2-H

MDM1200H45E2-H是一款高性能的硅整流二极管模块,专为工业应用设计,具有卓越的可靠性和稳定性。以下是对该产品详细的产品介绍:
Diode Module
产品详情

  日立MDM1200H45E2-H是一款高性能的硅整流二极管模块,专为工业应用设计,具有卓越的可靠性和稳定性。以下是对该产品详细的产品介绍:

  产品名称: 日立MDM1200H45E2-H Diode module

  产品特点:

  高电流容量:MDM1200H45E2-H二极管模块能够承受高达1200A的正向电流,满足各种高功率工业设备的需求。

  低正向压降:模块采用先进的半导体材料,确保了低至0.45V的正向压降,有助于提高电路效率,降低能耗。

  快速恢复特性:具备快速恢复特性,适用于高频应用,减少开关损耗,提高系统效率。

  高可靠性:设计有优良的散热性能,确保在长时间连续工作下也能保持稳定的性能。模块经过严格的测试,保证了在高负荷条件下的可靠性。

  环境适应性:模块具有良好的环境适应性,适用于各种温度和湿度条件下的工作环境。

  紧凑型设计:MDM1200H45E2-H采用了紧凑型封装设计,节省空间,便于安装和集成。

  应用领域:

  MDM1200H45E2-H二极管模块广泛应用于以下领域:

  电力电子

  电机控制

  变频器

  电动车辆

  电源转换器

  逆变器

  太阳能逆变器

  燃料电池系统

  技术参数:

  正向电流(I°F):1200A

  正向压降(V°F):0.45V

  最大反向电压(VR):1200V

  最高工作温度(Tj):150℃

  封装类型:双列直插(DIP)

  总结:

  日立MDM1200H45E2-H Diode Module以其卓越的性能和可靠性,成为了工业电子设备中不可或缺的关键部件。它不仅能够满足高功率应用的需求,还能为系统提供高效的能量转换,是电力电子领域理想的解决方案。