半導体ソリューションベンダーのNexperiaはこのほど、80 Vと100 Vの電圧レベルをカバーする複数の新型LFPAKデバイスを、NextPowerシリーズmosfetを拡張し続けると発表した。これらの新製品は業界標準の56 mmと88 mmパッケージを採用し、現代の電子応用の高効率と低電磁干渉に対する需要を満たすことを目的としている。

新型NextPower 80/100 V MOSFETは設計上著しい性能向上を実現し、低オン抵抗RDS（on）と最適化された逆回復電荷Qrrを有する。この設計により、これらのMOSFETはスイッチング中に高効率を維持し、スパイク電圧の発生を減らすことができるため、電源管理やモータ制御などの分野で優れている。特に、サーバ、電源アダプタ、急速充電器、USB-PDなどのアプリケーションでは、全体的なシステム効率と信頼性が向上しています。

Nexperiaが提供するデータによると、これらのMOSFETのRDS（on）値は1.8 mΩから15 mΩまで幅広く、デザイナーは異なるアプリケーションニーズに応じて適切なデバイスを選択することができる。この柔軟性により、エンジニアは設計を最適化し、必要なパフォーマンス基準を達成することができます。

MOSFETの設計では、多くのメーカーがスイッチ効率を高めるためにQG（tot）やQGDなどのパラメータに注目している。しかし、Nexperiaは深い研究を通じて、Qrr（逆回復電荷）も同様に重要であることを発見した。Qrrの最適化はスイッチング性能だけでなく、動作中にデバイスが発生する電磁干渉（EMI）レベルにも直接関係している。このパラメータを優先的に考慮することで、Nexperiaは新型NextPower MOSFETのスパイク電圧を低減することに成功し、EMIの発生を大幅に低減した。

このような電磁干渉低減特性は、エンドユーザーがアプリケーションにおいてデバイスが電磁互換性（EMC）テストに合格しないことによる潜在的なリスクを心配する必要がなく、プロジェクトの最終段階で設計を高価に変更する必要がないことを意味している。これは、効率的で信頼性の高いソリューションを求める業界ユーザーにとって重要なメリットであることは間違いありません。

次世代MOSFETのオン抵抗（RDS（on））は、既存の競合製品に比べて31%低下した。また、Nexperiaは近い将来、80 Vで1.2 mΩまで低いRDS（on）を実現できる新しいLFPAK 88 MOSFETを発売する予定です。この進展は、NextPowerシリーズの応用シーンをさらに拡張し、ユーザーにより強い設計柔軟性を提供する。

同時に、Nexperiaは高電力アプリケーションにおける競争力をさらに強化するために、電力集約型CCPAK 1212デバイスを製品ポートフォリオに組み込む予定です。

設計および認証プロセスにおけるエンジニアのサポートのために、Nexperiaは受賞歴のあるインタラクティブなデータテーブルを提供します。これらのデータテーブルには、詳細なデバイス特性だけでなく、エンジニアが必要な技術的詳細を迅速に取得できるように、ユーザーフレンドリーな方法で情報を表示します。このようなサポート措置は設計効率を大幅に向上させ、ユーザーの製品に対する自信を高めた。

NexperiaのMOSFET分野における継続的な革新と拡張、特にエネルギー効率の向上と電磁干渉の低減に関する努力は、市場のニーズを満たすためのたゆまぬ追求を示している。新製品の発売に伴い、Nexperiaはデザイナーにより幅広い選択肢を提供するだけでなく、電子機器全体の性能と信頼性を向上させるための基礎を築いた。電子業界の高効率エネルギーと低EMIに対する需要が増加するにつれて、NexperiaのNextPowerシリーズは多くの応用分野の好ましいソリューションになるに違いない。

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