SemiHowテクノロジーは2002年に設立されたパワー半導体会社で、サムスン半導体で10年以上パワー半導体設計技術、Fabプロセス技術、Fab生産技術を習得してきたエンジニアに専念しています。

SemiHowテクノロジーは2004年に華潤マイクロエレクトロニクス有限会社と「技術サポート及びOEM契約」を締結し、華潤マイクロエレクトロニクスのPlanar mosfetプロセス技術をサポートし、華潤マイクロウエハ工場でOEMウエハを生産し、2005年にHV MOSFETを開発し、発売した。韓国と中国初の量産高圧MOSFETが中国と韓国市場に進出した。

その後、SemiHowはFMIC、Skysilicon、華虹宏力などの国内OEM会社と協力し、低圧溝MOSFET、制御可能シリコン、双方向サイリスタ、NPT IGBT、シールドゲート溝MOSFET、スーパー接合MOSFET製品を持続的に発売した。

そして、モバイル充電器、アダプター、家電、PC、EV充電器、ネットワーク、サーバー、LED照明などの市場で世界一流の技術で認可された。

2018年、SemiHowテクノロジーは三星（サムスン）工場（「SF」）と戦略的パートナーシップを締結し、SF 8インチラインでPower Discrete製品を開発、生産した。2019年、最初の開発シリーズとして、110種類（600-900ボルト）を超えるスーパーノットS 3 MOSFET（Rsp 18級）と平面MOSFET 800,900ボルト製品を開発しました。

その後、FS（Field Stop）IGBT、SGT MOSFET、Gen 2 SJMOSFETの開発を推進し続けた。2023年には、「Q 4 FS IGBT、SGT MOSFET」製品を発表し、2024年には、「Q 1 Gen 2 SJ MOSFET」と「Q 2 IGBTパワーモジュール」製品を発売する予定です。

2020年から、SemiHow電力ディスクリート製品の80%以上はSF 8インチウェハ工場とSynergy Powerによって生産され、SemiHowの20年間の世界的な技術競争力とKnow-How、そして4つの競争力（ウェハ工場の生産能力、品質、納期、コスト）の順豊8寸線によって、あらゆる顧客のニーズを満たすことができる。

発展の歴史：

2023年

・1200 V級IGBT開発を完了する。

・本部を拡張して仁川青羅に移転。

2022年

・Cuckoo Electronics誘導シリーズにおける650ボルトおよび1400ボルトクラスのすべてのIGBTモデルを承認する。

・産業通商資源部から1000万ドル輸出チャンピオンに認定された。

・世界最大の鉱山会社ビットコンチネンタルは、最初の納入業者として承認された。

・ASUSTeK ATX Powerは出荷承認を受けている。

2021年

・650ボルトおよび1400ボルトクラスのIGBT開発を完了する。

・中小企業とベンチャー企業部長の表彰。

2020年

・SFで650ボルトおよび1400ボルトクラスのフィールドカットオフIGBTの開発を開始する。

2019年

・Super Junction（「SJ」）MOSFET 600-900 Vを超える110種類の製品を開発したサムスン工場（「SF」）8インチ工場。

・SemiHowシールドゲートトレンチ（「SGT」）MOSFETプロセスと通常の低圧トレンチ（「LVT」）MOSFETプロセスをSF 8インチウエハ工場に移植する。

2018年

・SF事業部と契約を締結し、SemiHow Process技術をSF 8インチ工場に移植し、SFでSemiHow SJ MOSFET、SGT MOSFET、Planar MOSFET、FS IGBT製品を生産する。

・SemiHow SJ MOSFETプロセス（Epi Stack技術）とPlanar MOSFET 800900 VからSF 8インチ工場への移植を完了する。

・SF 8インチ工場で開発されたSJ MOSFET製品は、サムスンモバイル部門の承認を得て納入されている。

2016年

・サムスンスーパー結MOSFETモバイル充電器の売上高が500万ドルを突破

2015、16年

・サムスンGalaxyシリーズ充電器に約1億1000万個の700 V SJ MOSFETを供給する。

2014年

・深溝溝技術を用いて700 v SJ MOSFETを開発し、サムスンGalaxy S 5、Note 4充電器に使用することが承認された。

2012年

・サムスンGalaxyシリーズ充電器の高圧MOSFET製品と洗濯機応用のTriac製品が認可された。

・オープンサイリスタ（Triac、SCR）

2010年11月

・DB Hitech 8 inch FabでパワースイッチMCP（PWM IC＋MOSFET）とPFC ICを開発する。カナダDalsa BCDMOS 8インチプロセスを用いたSoc（PWM IC+MOSFET）の開発

2008年9月10日

・国宇、中環、FMIC 6インチ工場でGen 2、Gen 3、Gen 4 Planar MOSFETを開発する。（SemiHow' ;プロセス/製造技術移植）2007年

・三星電子と中国/韓国の大手顧客の電力分割ベンダーとして登録されている。

・売上高1500万ドルを達成する。

2004年

・華潤マイクロエレクトロニクス有限会社の5インチ工場で高圧（500-900 V）平面MOSFETを開発する。（SemiHow' ;プロセス/製造技術移植）

2003年

・PC電源応用のための電力BJT（バイポーラ接合型トランジスタ）700 Volt 13005、7、9を華山電子4インチ工場で開発する。（SemiHow' ;プロセス/製造技術移植）2002年

2002年

・SemiHow成立