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製品名：GHXS 050 B 120 S-D 3

タイプ：SICダイオードモジュール

メーカー：SemiQ

製品概要：GHXS 050 B 120 S-D 3はSemiQ社が発売した高性能炭化ケイ素（SiC）ダイオードモジュールである。このモジュールは先進的なSiC技術を利用して、電力電子応用に卓越した性能と信頼性を提供することを目的としている。SiCダイオードはその低スイッチング損失、高動作温度と優れた熱特性により愛顧され、厳格な電力変換と制御応用に非常に適している。

主なメリット：

高効率エネルギー：SiC材料の高バンドギャップ特性により、ダイオードはより高い周波数で動作することができ、それによりエネルギー損失を減少し、システム全体の効率を向上させる。

高温操作：GHXS 050 B 120 S-D 3は175 Cまでの接合温度で安定して運転でき、極端な環境での使用に適している。

高速スイッチ：SiCダイオードの高速回復特性により、極めて高速なスイッチ速度を実現し、スイッチ損失を低減することができる。

高電圧能力：このモジュールは1200 Vの逆電圧定格値を有し、高電圧応用を処理することができる。

コンパクト設計：モジュールのコンパクトサイズは各種電力電子機器への集積を容易にする。

応用範囲：GHXS 050 B 120 S-D 3 SiCダイオードモジュールは多種の高効率と高電力密度の応用に適用され、以下を含むが、これに限らない：

電気自動車（EV）とハイブリッド自動車（HEV）の充電と動力システム

ソーラインバータ

産業用モータ駆動

無停止電源（UPS）

高周波電源変換器

重要なパラメータ：

逆電圧（V _ RRM）：1200 V

順方向電流（I _ F）：50 A

順方向電圧（V _ F）：標準値（特定の電流下）

リバースリカバリ時間（t _ rr）：標準（特定の条件下）

接合温度範囲（T _ j）：−55 C〜175 C

GHXS 050 B 120 S-D 3 SiCダイオードモジュールはSemiQ社が現代電力電子システムの高性能、高信頼性、高効率に対する需要を満たすために設計したもので、その先進的な技術と優れた性能はそれを各種の高要求応用の理想的な選択にした。