SemiQ는 자사의 탄화규소(SIC) N 채널 mosfet 포트폴리오에 풀 웨이브 H-브릿지 모듈 세트를 추가했다.이러한 부품은 고전압, 고속 및 고출력 부품이 필요한 3중 위협 어플리케이션을 위해 설계되었습니다.초저스위치 손실에 최적화되어 효율성이 향상되고 전력 소비량이 줄어듭니다.고효율, 고결온 내구성 및 세라믹 패키지는 발열을 줄이고 기계적 레이아웃 유연성을 향상시킵니다.

세라믹 패키지는 라디에이터를 분리 열 전도 매트에 직접 장착할 수 있다.전기 핀 접점은 통공 압착 연결이며 부품의 총 설치 면적은 62.8mm x 33.8mm x 12mm입니다.전체 H-브릿지 모듈에 구성 요소를 제공하면 조립 비용을 절감하고 스위치 손실을 줄일 수 있습니다.

전문 제품 라인의 주요 보완 사항

GCMX020A120B2H1P, GCMX040A120B2H1P, GCMX080A120B2H1P, GCMX020A120B3H1P 및 GCMX040A120B3H1P - 정격 전압은 모두 1200V, 격침 전압은 1400V 이상이며 최대 결온은 175C입니다.

그것들은 모두 같은 세라믹 압력 연결 구멍으로 봉인되어 있다.GCMX080A120B2H1P의 최대 전류 용량 범위는 27A이며 GCMX020A120B2H1P의 최대 전류 용량은 102A입니다.SemiQ는 분립 MOSFET, 쇼트키 다이오드, 하프브리지 모듈을 포함한 광범위한 고출력 SiC 부품 시리즈를 보유하고 있다.완전한 H-Bridge SiC 모듈을 추가하면 고출력 전자 제품 설계자가 부품 수를 줄이고 제품 크기를 줄이며 더 효율적인 냉각을 얻을 수 있습니다.

분리 H 브릿지의 MOSFET 테스트가 좋지 않으면 장애가 발생한 부분만 제거하면 됩니다.한 모듈에서 고장난 부품은 다리 전체를 버려야 한다.SemiQ는 이러한 위험을 인식하고 웨이퍼 레벨 테스트와 노화를 통해 위험을 줄입니다.SemiQ는 이러한 웨이퍼 레벨 테스트를 사용하여 전체 모듈의 울타리 산화물 품질과 안정적인 울타리 임계값 전압을 보장합니다.

노화 및 테스트는 또한 그리드 응력, 고온 역방향 편압 누극 응력, 높은 습도, 높은 전압 및 고온 신뢰성을 평가합니다.그 결과 자동차급과 공업급 제품은 아낌없는 환경 공간과 조기 고장 가능성이 낮다.

직류 어플리케이션에서 SiC MOSFET의 주요 이점

신형 SiC MOSFET는 태양열 인버터, 전기차 충전기, 에너지 저장 시스템, DC-DC 동글 등 전력 집약형 직류 응용프로그램에 적용된다.이러한 모든 애플리케이션에는 고전압, 높은 스위치 주파수 및 고출력 용량이 필요합니다.SemiQ는 높은 스위치 주파수와 높은 작동 전압으로 인한 효율성이 필요한 고출력 어플리케이션을 위해 신제품 라인을 설계했다.

재생 가능 에너지와 대량의 서버 전원 수요는 직류 분야에 속한다.불행히도 직류 전압 변환은 교류 전기에 사용되는 간단한 결합 감지 변압기보다 훨씬 복잡합니다.DC 전압 변환을 위해서는 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS)가 필요합니다.만약 반도체 재료가 따라갈 수 있다면, 더 높은 스위치 주파수는 더 좋은 효율을 제공할 수 있다.SiC는 실리콘보다 내구성이 뛰어난 소재 중 하나입니다.이러한 부품은 SMPS 효율을 90% 범위에서 98% 범위로 향상시킵니다.

태양열 인버터 회로

이것은 단지 8% 의 개선만이 아니다.스위치 손실은 전력 낭비와 열량을 초래하는 원인이다.전통적인 반도체에서 손실은 전류의 약 10% 이다.나머지 90%는 신청이 진행 중이다.SiC는 손실의 90%와 손실의 80%를 전달합니다.이는 전류는 8% 증가하지만 낭비와 열량은 80% 감소한다는 것을 의미한다.

직류 전기는 전자 장비의 단말기 전원으로 사용되지만 대부분의 전기 자동차는 탁월한 효율을 가지고 있기 때문에 여전히 AC 모터를 사용합니다.이 모터의 작동 전압 범위는 300-600V입니다.이렇게 높은 전압이 없다면 50 + kW 모터의 전류 소비로 인해 배선, 히트싱크 및 모터가 너무 무거워 실용적이지 못합니다.SiC 부품(예: SemiQ의 5개의 새로운 1200V 브리지 4소켓 MOSFET)은 표준 실리콘보다 부하를 더 효과적으로 처리할 수 있습니다.

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