인피니온의 CoolSIC mosfet 1200 V 및 IGBT7 H7 1200 V 시리즈 전력 반도체는 산업 응용프로그램에 적합한 최신 반도체 기술과 설계 아이디어를 채택하고 있습니다.

인피니온의 전력 반도체 장비는 폭스에 제공되며, 폭스는 재생 가능한 에너지 부문의 급속한 발전의 선두주자이자 인버터 및 에너지 저장 시스템의 생산자이다.양측 모두 재생에너지의 성장을 추진하기 위해 노력하고 있다.잉피롱은 냉각기를 제공할 것이다.모스피츠 1200V, 이 시스템은 EicedR2 게이트 드라이버와 함께 산업 에너지 저장 응용 프로그램에 사용될 것이다.이와 함께 폭스는 영국 피용의 IGBT7H71200V 반도체 전력 부품을 현 PV 인버터에 활용할 예정이다.

최근 몇 년 동안 전 세계 태양광 에너지 저장 시스템 (PV-ES) 시장은 빠른 성장을 겪었다.PV-ES 산업의 경쟁력이 강화됨에 따라 전력 밀도를 높이는 것이 성공의 핵심 요소가되었습니다.이에 따라 에너지 저장 응용 효율과 전력 밀도를 높이는 방법을 모색하는 데 관심이 쏠리고 있다.인피니온의 CoolSiC MOSFET 1200V 및 IGBT7 H7 1200V 시리즈 전력 반도체 부품은 첨단 반도체 기술과 산업 응용을 위해 특별히 개발된 설계 원리를 사용합니다.

인피니온의 CoolSiC MOSFET 1200V는 고출력 밀도로 손실을 50% 줄이고 더 큰 배터리 없이 약 2% 의 더 많은 에너지를 제공합니다.이는 고성능, 경량화, 컴팩트성을 우선시하는 에너지 저장 시스템에 특히 유리하다.FOXESS H3PRO 에너지 저장 시리즈의 전력 범위는 15kW~30kW이며, 인피니온의 CoolSiC MOSFET를 사용하여 모든 모델의 정격 전압은 1200V이다.인피니온의 뛰어난 성능으로 H3PRO 시리즈는 최대 98.1%의 효율과 뛰어난 전자기 호환성(EMC) 성능을 얻을 수 있습니다.H3PRO 시리즈는 뛰어난 성능과 신뢰성으로 인해 전 세계 시장에서 상당한 매출 성장을 이루었습니다.

현재 FOXESS의 주요 산업 및 비즈니스 모델인 R 시리즈 75-110kW는 IGBT7 H7 시리즈 분리 부품을 포함하여 100kW 모델의 전체 설계를 강화하여 98.6% 의 기계 효율을 제공합니다.IGBT7 H7 시리즈는 분리 패키지로 저전력 손실과 고출력 밀도를 갖추고 있으며 병렬 과정 중 균일 흐름 등 기술 문제를 간소화하고 최적화했다.각 전원 공급 장치에는 드라이브가 필요합니다. 적절한 드라이브를 선택하면 설계 프로세스가 크게 단순화됩니다.

인피니티는 다양한 EiceDRIVER 그리드 드라이브를 제공하며 총 500개 이상의 모델을 제공합니다.이러한 그리드 드라이브는 출력 전류 범위가 0.1A~18A이며 고속 단락 보호(DESAT), 액티브 밀러 클램프, 패스스루 보호, 장애 보고, 차단, 과류 보호와 같은 다양한 보호 기능을 제공합니다.CoolSiC 및 IGBT를 포함한 모든 전력 장치와 호환됩니다.부스트 테크놀로지는 전력 부품 분야를 깊이 파고들어 고객에게 단편기 (MCU), 터치 칩 등 전력 부품을 제공하며 핵심 기술을 보유한 전자 부품 공급업체이자 솔루션 업체이다.