세미하우테크놀로지는 2002년 설립된 파워반도체 회사로 삼성 반도체에서 10여 년간 파워반도체 설계 기술, 팹(Fab) 공정 기술, 팹(Fab) 생산 기술을 확보한 엔지니어에 집중하고 있다.

SemiHow 테크놀로지는 2004년에 화룬마이크로일렉트로닉스유한공사와"기술지원 및 파운드리 협의"를 체결하여 화룬마이크로일렉트로닉스의 Planar mosfet 공정기술을 지원하고 화룬마이크로일렉트로닉스공장에서 파운드리 웨이퍼를 생산하였으며 2005년에 HV MOSFET를 개발하여 출시하였다.한국과 중국 최초로 고압 MOSFET를 양산해 중국과 한국 시장에 진출했다.

이후 세미하우는 FMIC, 스카이실리콘, 화훙훙리 등 국내 파운드리 회사와 합작해 저압 도랑 MOSFET, 제어 실리콘, 양방향 트랜지스터, NPT IGBT, 차폐 그리드 도랑 MOSFET, 슈퍼 매듭 MOSFET 제품을 지속적으로 선보였다.

또한 모바일 충전기, 어댑터, 가전, PC, EV 충전기, 네트워크, 서버, LED 조명 등 시장에서 세계 최고의 기술로 인정받고 있다.

세미하우테크놀로지는 2018년 삼성 파운드리("SF")와 전략적 파트너십을 체결하고 SF 8인치 라인에서 파워 디스크리트 제품을 개발·생산하고 있다.2019 년에는 첫 번째 개발 시리즈로 110 개 이상의 제품 (600-900 볼트) 슈퍼 매듭 S3 MOSFET (Rsp18 레벨) 및 평면 MOSFET 800900 볼트 제품을 개발했습니다.

이어 FS(Field Stop) IGBT, SGT MOSFET, Gen2 SJMOSFET 개발을 꾸준히 추진했다.2023년에는'Q4 FS IGBT, SGT MOSFET'제품을 발표했으며, 2024년에는'Q1 Gen2 SJ MOSFET'와'Q2 IGBT 파워모듈'제품을 출시할 계획이다.

2020년부터 SemiHow 전력 분립 제품의 80% 이상을 SF 8인치 웨이퍼 공장과 Synergy Power가 생산할 예정이며, SemiHow 20년 글로벌 기술 경쟁력과 Know-How 및 4대 경쟁력 (웨이퍼 공장 생산능력, 품질, 납기, 원가) 의 순풍 8인치 라인으로 모든 고객의 수요를 만족시킬 수 있다.

발전 역사:

2023년

· 1200V급 IGBT 개발 완료.

· 본사를 증축해 인천 청라로 이전한다.

2022년

· Cuckoo Electronics 감지 제품군 중 650V 및 1400V 등급의 모든 IGBT 모델을 승인합니다.

· 산업통상자원부로부터 1000만 달러 수출 챔피언으로 인정받았다.

· 세계 최대 광기계 회사인 비트콘티넨탈은 이미 비준을 받아 첫 번째 공급 업체이다.

· ASUS ATX Power는 공급 승인을 받았습니다.

2021년

· 650볼트와 1400볼트 등급의 IGBT 개발을 완료한다.

· 중소기업과 스타트업 장관의 포상.

2020년

· SF에서 650볼트와 1400볼트 등급의 필드 마감 IGBT를 개발하기 시작했다.

2019년

· 삼성 파운드리("SF") 8인치 공장은 슈퍼주니어("SJ") 모스펫 600-900V를 능가하는 110개 제품을 개발했다.

· SemiHow 차폐격자 도랑("SGT") MOSFET 공정과 일반 저압 도랑("LVT") MOSFET 공정을 SF 8인치 웨이퍼 공장에 이식한다.

2018년

· SF사업부와 계약을 체결하여 SemiHow Process 기술을 SF 8인치 공장에 이식하고 SF에서 SemiHow SJ MOSFET, SGT MOSFET, Planar MOSFET, FS IGBT 제품을 생산한다.

· SemiHow SJ MOSFET 공정(Epi Stack 기술) 및 Planar MOSFET 800900V에서 SF 8인치 공장으로의 이식을 완료합니다.

· SF 8인치 공장에서 개발한 SJ MOSFET 제품은 삼성 모바일 부문의 승인을 받아 납품되었다.

2016년

· 삼성 슈퍼매듭 MOSFET 모바일 충전기 매출 500만달러 돌파

2015, 16년

· 삼성 갤럭시 시리즈 충전기에 약 1억 1천만 개의 700V SJ MOSFET를 공급한다.

2014년

· 딥 도랑 기술로 700v SJ MOSFET 개발 및 삼성 갤럭시 S5, 노트4 충전기 사용 승인 완료.

2012년

· 삼성 갤럭시 시리즈 충전기의 고압 MOSFET 제품과 세탁기에 적용된 Triac 제품을 인정받았다.

· 트랜지스터 튜브(Triac, SCR)

2010년 11월

· DB Hitech 8inch Fab에서 Power Switch MCP(PWM IC+MOSFET) 및 PFC IC를 개발.캐나다 Dalsa BCDMOS 8형 공정으로 Soc(PWM IC+MOSFET) 개발

2008년 9월 10일

· 국우, 중환 및 FMIC 6인치 공장에서 Gen2, Gen3, Gen4 Planar MOSFET 개발.(SemiHow' 공정/생산기술 이식) 2007년

· 삼성전자와 중국/한국 대고객의 전력분할공급업체로 등록.

· 매출 1500만 달러를 달성했다.

2004년

· 화룬마이크로전자유한공사 5인치 공장에서 고압 (500-900V) 평면 MOSFET를 개발한다.(SemiHow' 공정/생산 기술 이식)

2003년

· 화산전자 4인치 공장에서 PC 전원 응용을 위한 전력 BJT(이극결합형 트랜지스터) 700Volt 13005, 7, 9 개발.(SemiHow' 공정/생산기술 이식) 2002년

2002년

· SemiHow 설립