SemiHow科技成立于 2002 年，是一家功率半导体公司，专注于在三星半导体 10 多年掌握功率半导体设计技术、Fab 工艺技术和 Fab 生产技术的工程师。

　　SemiHow科技于2004年与华润微电子有限公司签署《技术支持及代工协议》，支持华润微电子的Planar mosfet制程技术，并在华润微晶圆厂生产代工晶圆，并于2005年开发并推出HV MOSFET。韩国和中国第一家量产高压MOSFET进入中国和韩国市场。

　　此后，SemiHow与FMIC、Skysilicon、华虹宏力等国内代工公司合作，持续推出低压沟槽MOSFET、可控硅、双向晶闸管、NPT IGBT、屏蔽栅沟槽MOSFET、超级结MOSFET产品。

　　并在移动充电器、适配器、消费电子、PC、EV充电器、网络、服务器、LED照明等市场上以世界一流的技术获得认可。

　　2018年，SemiHow科技与三星代工厂(“SF”)签署战略合作伙伴关系，在SF 8英寸生产线上开发和生产Power Discrete产品。2019年，作为第一个开发系列，我们开发了超过110种产品(600-900伏)的超级结S3 MOSFET(Rsp18级)和平面MOSFET 800,900伏产品。

　　随后，不断推进FS(Field Stop)IGBT、SGT MOSFET、Gen2 SJMOSFET的开发。2023年，我们发布了“Q4 FS IGBT、SGT MOSFET”产品，2024年，计划推出“Q1 Gen2 SJ MOSFET”和“Q2 IGBT功率模块”产品。

　　2020年起，SemiHow功率分立产品80%以上将由SF 8英寸晶圆厂和Synergy Power生产，凭借SemiHow20年全球技术竞争力和Know-How以及四大竞争力(晶圆厂产能、质量、交期、成本)的顺丰8寸线能够满足任何客户的需求。

　　发展历史：

　　2023年

　　·完成1200V级IGBT开发。

　　·总部扩建并迁至仁川青罗。

　　2022年

　　·批准 Cuckoo Electronics 感应系列中 650 伏和 1400 伏等级的所有 IGBT 型号。

　　·被产业通商资源部认定为1000万美元出口冠军。

　　·全球最大矿机公司比特大陆已获批，为首批供货厂商。

　　·华硕 ATX Power 已获得供货批准。

　　2021年

　　·完成650伏和1400伏等级的IGBT开发。

　　·中小企业和初创企业部长的嘉奖。

　　2020年

　　·开始在 SF 开发 650 伏和 1400 伏等级的场截止 IGBT。

　　2019年

　　·三星代工厂(“SF”)8 英寸工厂开发了超过 Super Junction(“SJ”)MOSFET 600-900V 的 110 种产品。

　　·将SemiHow屏蔽栅沟槽(“SGT”) MOSFET工艺和普通低压沟槽(“LVT”) MOSFET工艺移植到SF 8英寸晶圆厂。

　　2018年

　　·与SF事业部签订合同，将SemiHow Process技术移植到SF 8英寸工厂，并在SF生产SemiHow SJ MOSFET、SGT MOSFET、Planar MOSFET、FS IGBT产品。

　　·完成SemiHow SJ MOSFET工艺(Epi Stack技术)和Planar MOSFET 800,900V到SF 8英寸工厂的移植。

　　·SF 8英寸工厂开发的SJ MOSFET产品已获得三星移动部门的认可并交付。

　　2016年

　　·三星超级结MOSFET移动充电器销售额突破500万美元

　　2015, 16年

　　·为三星Galaxy系列充电器供应约1.1亿个700V SJ MOSFET。

　　2014年

　　·采用深沟槽技术开发 700v SJ MOSFET，并已获批准用于三星 Galaxy S5、Note4 充电器。

　　2012年

　　·三星 Galaxy 系列充电器的高压 MOSFET 产品和洗衣机应用的 Triac 产品获得认可。

　　·开发晶闸管(Triac、SCR)

　　2010年11月

　　·在DB Hitech 8inch Fab开发Power Switch MCP(PWM IC+MOSFET)和PFC IC。采用加拿大Dalsa BCDMOS 8英寸工艺开发Soc(PWM IC+MOSFET)

　　2008年9月10日

　　·在国宇、中环和FMIC 6英寸工厂开发Gen2、Gen3、Gen4 Planar MOSFET。(SemiHow'工艺/生产技术移植)2007年

　　·注册为三星电子和中国/韩国大客户的功率分立供应商。

　　·实现销售额1500万美元。

　　2004年

　　·在华润微电子有限公司5英寸工厂开发高压(500-900V)平面MOSFET。(SemiHow'工艺/生产技术移植)

　　2003年

　　·在华山电子4英寸工厂开发用于PC电源应用的功率BJT(双极结型晶体管)700Volt 13005,7,9。(SemiHow'工艺/生产技术移植)2002年

　　2002年

　　·SemiHow成立