浮思特科技

　　产品名称：PCW120N21M1 SIC mosfet

　　产品介绍：

　　POWERMASTER公司的PCW120N21M1是一款高端硅碳化物(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)，其设计突破了常规硅基MOSFET的性能限制。采用了最新的SiC技术，这款MOSFET专为高效能和高频率的电力应用而设计，优化了能源转换过程中的功耗和散热效率。

　　产品特性：

　　1. 高电压耐受：PCW120N21M1能够处理高达1200V的工作电压，为高压应用提供了稳定可靠的解决方案。

　　2. 低导通电阻：拥有极低的导通电阻(RDS(on))，从而减少功率损失并提高操作效率。

　　3. 快速开关能力：SiC MOSFET具有比传统硅MOSFET更快的开关速率，大大减少了开关损耗。

　　4. 高温性能：具备出色的热稳定性，能够在更高的温度下运行，适合苛刻的工作环境。

　　5. 兼容性：PCW120N21M1的封装设计允许它与现有的硅MOSFET设备兼容，简化了升级换代过程。

　　应用场景：

　　PCW120N21M1 SiC MOSFET适用于多种高性能和高功率密度的电子应用，如：

　　- 可再生能源系统，包括太阳能逆变器和风能转换器

　　- 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的动力系统

　　- 服务器电源和电信基站电源

　　- 高速列车和地铁系统的牵引逆变器

　　- 高频开关电源和无源PFC(功率因数校正)

　　技术参数：

　　- 最大漏源电压(VDS)：1200V

　　- 持续漏电流(ID)：21A

　　- 导通电阻(RDS(on))：极低

　　- 总栅极电荷(Qg)：优化值

　　- 封装类型：TO-247-3

　　POWERMASTER的PCW120N21M1 SiC MOSFET以其高效的能源转换能力、快速开关特性和卓越的热性能，为高压电力电子设备提供了理想的半导体解决方案。这款产品的出现，代表了SiC MOSFET技术在性能和可靠性方面的新标杆。