浮思特科技

　　产品名称：PCZ120N40M1 

分类：SIC mosfet

　　产品简介：

　　POWERMASTER的PCZ120N40M1是一款高性能的硅碳化物(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)，专为现代电力电子系统的高效率、高功率密度和优异热性能需求而精心打造。这款SiC MOSFET以其卓越的电气特性，成为推动能源转换技术向前发展的关键组件。

　　产品亮点：

　　1. 高压耐受：PCZ120N40M1具备高达1200V的耐压能力，为高压电力应用提供了坚实的基础。

　　2. 高电流承载：拥有40A的持续漏电流(ID)，适合处理大功率负载。

　　3. 低导通损耗：极低的导通电阻(RDS(on))确保了在导通状态下的低功耗，有助于提高系统效率。

　　4. 快速开关：SiC材料的固有优势使得该MOSFET能够实现快速开关，减少了开关过程中的能量损耗。

　　5. 高温操作：出色的热稳定性使得PCZ120N40M1能够在高温环境下稳定运行，适合苛刻的工作条件。

　　应用场景：

　　PCZ120N40M1 SiC MOSFET适用于多种高性能电力电子应用，包括但不限于：

　　- 高效能电源供应和转换系统

　　- 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的充电和动力系统

　　- 工业电机驱动和变频器

　　- 高频开关电源和DC-DC转换器

　　技术参数：

　　- 最大漏源电压(VDS)：1200V

　　- 持续漏电流(ID)：40A

　　- 导通电阻(RDS(on))：极低

　　- 总栅极电荷(Qg)：优化值

　　- 封装类型：TO-247-4L

　　POWERMASTER的PCZ120N40M1 SiC MOSFET以其高效的能源转换能力、快速开关特性和卓越的热性能，为高压电力电子设备提供了理想的半导体解决方案。这款产品的出现，代表了SiC MOSFET技术在性能和可靠性方面的新标杆，为电力电子工程师提供了强大的工具，以实现更高效、更紧凑和更可靠的电力系统设计。