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SemiHow-MOS
HPAF65C105R 是 SemiHow 推出的一款先进碳化硅 (SIC) mosfet，专为高效能和高可靠性应用设计。该产品利用 SiC 材料的优越特性，提供卓越的性能和能效。
主要特点
高击穿电压：最大漏源电压可达 650V，适用于高压应用。
低导通电阻：具备极低的导通电阻 (RDS(on))，显著降低导通损耗。
高温稳定性：在 -55°C 至 175°C 的广泛温度范围内依然保持稳定性能。
快速开关速度：支持高频操作，适用于高频电力转换应用。
技术规格
最大漏源电压 (VDS): 650V
最大漏极电流 (ID): 32A
导通电阻 (RDS(on)): 0.035Ω
应用领域
HPAF65C105R 广泛应用于电动汽车 (EV) 电机驱动、光伏逆变器、工业电源和开关电源等领域。
优势
提升能效：低损耗和高开关速度显著提升系统能效。
紧凑设计：高效能使系统设计更加紧凑，减小整体体积和重量。
增强可靠性：高温稳定性延长系统使用寿命，提升可靠性。
HPAF65C105R 凭借其高性能和可靠性，成为高效电力电子应用的理想选择。如需更多信息，请直接联系我们。
