HPAF65C105R 是 SemiHow 推出的一款先进碳化硅 (SIC) mosfet,专为高效能和高可靠性应用设计。该产品利用 SiC 材料的优越特性,提供卓越的性能和能效。
主要特点
高击穿电压:最大漏源电压可达 650V,适用于高压应用。
低导通电阻:具备极低的导通电阻 (RDS(on)),显著降低导通损耗。
高温稳定性:在 -55°C 至 175°C 的广泛温度范围内依然保持稳定性能。
快速开关速度:支持高频操作,适用于高频电力转换应用。
技术规格
最大漏源电压 (VDS): 650V
最大漏极电流 (ID): 32A
导通电阻 (RDS(on)): 0.035Ω
应用领域
HPAF65C105R 广泛应用于电动汽车 (EV) 电机驱动、光伏逆变器、工业电源和开关电源等领域。
优势
提升能效:低损耗和高开关速度显著提升系统能效。
紧凑设计:高效能使系统设计更加紧凑,减小整体体积和重量。
增强可靠性:高温稳定性延长系统使用寿命,提升可靠性。
HPAF65C105R 凭借其高性能和可靠性,成为高效电力电子应用的理想选择。如需更多信息,请直接联系我们。