HPJ65C105R是一款高性能的SIC
mosfet，由SemiHow公司设计和制造。这款产品采用了先进的碳化硅(SiC)技术，提供了卓越的开关性能和高温操作能力。HPJ65C105R的主要特点包括：
高电压耐受性：能够承受高达1050V的电压，适用于高压应用。
低导通电阻：具有低至65mΩ的导通电阻，有效降低能量损耗。
快速开关速度：SiC材料的高电子迁移率使得开关速度更快，减少开关损耗。
高温工作能力：能够在高达175°C的温度下稳定工作，适用于恶劣环境。
HPJ65C105R SiC MOSFET广泛应用于电源转换、电动汽车、可再生能源系统等领域，是追求高效率和可靠性的理想选择。
浮思特科技
产品中心
SemiHow-MOS
