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SemiHow-MOS

SiC MOSFET

HPA120C080R

HPA120C080R,来自SemiHow品牌的创新之作,是一款采用先进碳化硅(SiC)技术的MOSFET器件。它专为高电压、高效率应用设计,能够承受高达1200V的漏源电压,确保在极端条件下稳定运行。
SiC MOSFET
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  HPA120C080R,来自SemiHow品牌的创新之作,是一款采用先进碳化硅(SIC)技术的mosfet器件。它专为高电压、高效率应用设计,能够承受高达1200V的漏源电压,确保在极端条件下稳定运行。

  此款MOSFET凭借碳化硅材料的卓越性能,实现了低导通电阻与快速开关速度的完美结合,有效降低了导通与开关损耗,提升了整体系统效率。同时,其耐高温特性确保了在高热环境下的稳定运行,延长了使用寿命。

  HPA120C080R适用于多种高功率应用场景,包括新能源汽车、光伏逆变器、储能系统及工业电源等,为这些领域提供了高效、可靠的电力转换解决方案。其紧凑的封装设计便于系统集成,助力实现更紧凑、更高效的电力电子系统。

  HPA120C080R SiC MOSFET以其卓越的性能和广泛的应用前景,成为SemiHow品牌在电力电子行业的一颗璀璨明珠。