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SemiHow-GaNFET
HPD120G115N 是由SemiHow推出的一款高性能氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)，专为高效能电源转换和电力电子应用设计。该器件具有优异的开关速度和低能耗特性。
主要特性
高效率：实现低能量损耗，提升系统整体效率。
低导通电阻：极低的导通电阻(Rds(on))，有效降低发热。
高频操作：支持高达 1MHz 的开关频率，适用于多种应用。
优异的热管理：高工作温度下依然保持高性能。
应用领域
开关电源(SMPS)
电动汽车充电器
太阳能逆变器
无线充电器
规格参数
漏极电压 (Vds): 120V
持续漏极电流 (Id): 115A
导通电阻 (Rds(on)): 18 mΩ (典型值)
HPD120G115N 是现代电源管理解决方案的理想选择，助力高效能设计和应用。
