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　　HPFL70G105N 是由 SemiHow 旗下推出的一款高性能氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。作为一款先进的功率器件，HPFL70G105N 旨在满足高频、高效率的电源转换应用需求，广泛应用于电源管理、无线充电、电动汽车充电和其他高功率密度设备。

　　产品特点

　　高开关速度：HPFL70G105N 采用氮化镓材料，具有极高的开关速度，相较于传统硅器件，能够显著降低开关损耗，使系统效率大幅提升。

　　低导通阻抗：该器件具有低导通阻抗(Rds(on))，有效降低导通损耗，提升整体电源转换效率，适用于高功率应用。

　　高温稳定性：HPFL70G105N 的工作温度范围广，能够在高温环境下稳定工作，适合严苛的工作条件。

　　紧凑的封装设计：采用紧凑型封装，便于设计集成在高密度电路中，节省空间，同时提升系统的散热性能。

　　优异的电气性能：该器件具备良好的开关特性和低输出电容，适合高频应用，降低 EMI 干扰。

　　应用领域

　　电源转换：适用于高效电源转换器，如 AC-DC、DC-DC 转换器，提升效率和功率密度。

　　无线充电：在无线充电设备中，HPFL70G105N 可实现更快的充电速度和更高的效率。

　　电动汽车充电：为电动汽车快速充电桩提供强大的功率支持，缩短充电时间。

　　服务器与数据中心：在高效电源供应及冷却系统中优化能耗，降低运营成本。

　　技术规格

　　最大漏极-源电压(Vds)：70V

　　最大漏极电流(Id)：105A

　　导通电阻(Rds(on))：极低，优化功率损耗

　　封装类型：紧凑型封装，方便散热和空间布局

　　工作频率：支持高频操作，满足不同应用需求

　　结论

　　HPFL70G105N 氮化镓 FET 是一款结合高效率、低损耗和高功率密度的先进器件，适用于多种高性能应用。凭借其卓越的电气特性和稳定的工作性能，HPFL70G105N 是现代电源设计的理想选择，为您的产品提供强大的支持。