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SemiHow-IGBT

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HIW30N65T-SA

在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件因其高效能和高可靠性而成为关键组件。SemiHow的HIW30N65T-SA IGBT器件,以其卓越的性能和广泛的应用范围,成为工程师在设计高功率电子系统时的首选。
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产品详情

  在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件因其高效能和高可靠性而成为关键组件。SemiHow的HIW30N65T-SA IGBT器件,以其卓越的性能和广泛的应用范围,成为工程师在设计高功率电子系统时的首选。

  参数:

  电压等级: 650V

  电流等级: 30A

  封装类型: TO-247

  特点:

  高性能: 采用先进的沟槽栅和场截止技术,提供低导通电阻和优异的开关性能。

  高效率: 低导通损耗和开关损耗,有助于提高整个系统的能效。

  可靠性: 设计用于在宽温度范围内稳定工作,确保长期可靠运行。

  热性能: TO-247封装提供良好的散热性能,有助于在高功率应用中保持器件温度在安全范围内。

  应用:

  电机驱动: 适用于各种工业电机驱动系统,提供高效的功率转换和精确的控制。

  逆变器: 在太阳能和风能逆变器中,用于将直流电转换为交流电,支持可再生能源系统的高效运行。

  UPS系统: 在不断电电源系统中,确保在电网故障时提供稳定的电力供应。

  电源转换: 用于各种高功率电源转换应用,如服务器电源和工业电源。

  HIW30N65T-SA IGBT器件是SemiHow在高功率半导体领域的创新成果,它结合了高性能和可靠性,是工程师在设计高效能电力电子系统时的理想选择。