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SemiHow-IGBT
HIA100N65T-SA是SemiHow公司推出的一款高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件，专为满足现代电力电子系统对高功率和高效率的严格要求。这款IGBT器件以其出色的电气性能和可靠性。
关键特性：
高电压承受能力：HIA100N65T-SA的额定电压为650V
强大的电流处理能力：该器件的最大连续集电极电流高达100A
低导通损耗：通过优化设计，实现了低导通电阻，从而显著降低了功率损耗，提升了整体能效。
高效的开关性能：快速的开关速度减少了开关过程中的能量损失，提高了系统的动态响应和效率。
主要参数：
集电极-发射极电压(V_CES)：650V
集电极连续电流(I_C)：100A
集电极峰值电流(I_CP)：根据应用条件而定
栅极-发射极电压(V_GES)：±20V
HIA100N65T-SA是一款专为高要求电力电子应用设计的高性能IGBT器件，它不仅提供了卓越的性能和效率，还确保了系统的稳定性和可靠性，是电力电子工程师在设计高效率和高可靠性系统时的首选器件。
