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使用 GaN 器件设计电源转换器

作者: 浮思特科技2024-04-22 15:09:41

  在电力电子应用中,人们不断努力实现效率、紧凑性和可靠性。汽车、电信和可再生能源等行业对提高效率和功率密度的需求日益增长,氮化镓器件成为功率转换器设计中的革命性解决方案。本文探讨了与使用 GaN 器件创建电源转换器相关的基本原理、优点和挑战。它阐明了GaN器件在彻底改变电力电子领域并定义其未来方面的巨大潜力。

电源转换器

  氮化镓的力量

  GaN 是一种宽带隙半导体材料,因其非凡的特性而引起了人们的广泛关注,其性能比传统的硅器件更好。GaN 器件表现出卓越的电子迁移率、导通状态下的电阻降低以及开关速率加快。这些特性可以提高功率转换器的效率、降低传导损耗并最小化开关损耗。

  GaN 器件的卓越特性使得能够创建更小、更轻的电源转换器。它们能够在更高的频率下运行而不会产生大量损耗,从而可以缩小电力电子系统的尺寸,使其非常适合空间有限的应用。

  GaN 在开关速度方面的显着改进使其特别有利于需要快速响应突发变化和精确调节的应用,例如电机驱动、可再生能源系统和电动汽车。此外,GaN 的大能隙允许在高温下运行,从而提高热效率和可靠性。这种能力在传统硅器件在维持效率和可靠性方面可能遇到困难的挑战性情况下尤其有利。

  与硅功率器件相比,GaN 功率器件的一些最相关的优势如图

GaN功率器件优势

  电源转换器的设计挑战

  为了充分发挥 GaN 器件的潜力,在设计电源转换器时必须克服各种障碍。以下是最重大的挑战。

  栅极驱动器

  首先,与传统硅器件相比,GaN 器件具有不同的栅极驱动要求。实现最佳栅极驱动设计对于最大化开关性能和最小化开关损耗至关重要。设计人员必须仔细考虑栅极电压电平、栅极电阻和栅极驱动电路布局等因素,以确保可靠、高效的运行。GaN 场效应晶体管 (FET) 的驱动要求,无论其通常处于关闭状态还是开启状态,都与硅 mosfet 的驱动要求存在显着差异。

  热管理

  与硅器件相比,GaN器件实现了更高的功率密度并且可以在更高的温度下工作。因此,高效的热管理对于散发运行期间产生的热量、保持最佳的设备性能和可靠性至关重要。设计人员必须采用先进的散热器设计、热界面材料和热建模技术来有效管理热量。

  开关频率

  GaN 器件能够在更高的开关频率下运行,从而可以实现更小的无源元件和更高的功率密度。然而,优化开关频率需要仔细考虑开关损耗、电磁干扰和元件应力。设计人员必须在提高开关频率以最大限度地提高效率和确保转换器保持在安全工作限制之间取得平衡。

  保护

  将 GaN 器件集成到功率转换器系统中需要考虑系统级兼容性、保护电路和电磁兼容性合规性。过流保护、过压保护和热关断等稳健的保护机制对于确保 GaN 功率转换器的可靠性和使用寿命至关重要。

  成本

  目前,GaN 器件的前期成本高于硅器件,这可能会阻碍其在某些应用中的广泛采用。设计人员必须仔细评估基于 GaN 的解决方案的成本效益,并考虑性能改进、尺寸减小和长期可靠性等因素,以证明较高的初始投资是合理的。

  商业解决方案

  市场上有多种基于 GaN 的商用功率器件(分立式和模块式),适合使用 GaN 技术设计功率转换器。

  转运蛋白

  Transphorm 提供专为需要高电压和高功率的应用而设计的 GaN 功率器件。Transphorm 的 GaN 器件采用级联配置,据该公司称,与目前可用的其他配置(例如 pGaN e-mode)相比,该配置具有更好的使用寿命、质量和可靠性。

  利用高压 GaN 技术为多个需要可靠功率转换并提高效率和性能的行业提供了显着的优势。一款开放式 300W 恒流恒压 AC/DC 电池充电器参考设计,输出功率为 300W,采用 Transphorm 的 SuperGaN 技术。浮思特科技专注在新能源汽车、电力新能源、家用电器、触控显示,4大领域,为客户提供从方案研发到产品选型采购的一站式服务,是一家拥有核心技术的电子元器件供应商和解决方案商。