PCB 的热性能是确定电力电子设备整体合规性、可靠性和耐用性的关键指标。在组件层面，热管理很大程度上受器件封装的影响，封装集成了不同的散热方法和技术。PCB 设计和 PCB 热管理返工面临的挑战因器件封装而异。

　　最近，AOS 推出了一系列功率 MOSFET，由于其独特的封装设计，可提供更好的热管理。该产品旨在解决热管理面临的挑战。

　　DFN MOSFET 封装中的冷却机制

　　电力电子器件中的开关器件通过其裸露触点(直接连接到 PCB 或散热器)散热。

　　双扁平无引线 (DFN) 封装以其紧凑的外形尺寸而闻名，可实现更高的功率密度。这些封装采用扁平、无引线设计，可最大限度地减少寄生效应，增强电子电路的高频性能和热管理。DFN 中没有引线，可以缩短到 PCB 基板的散热距离，因此与有引线封装相比，可以确保更好的热性能。

　　对于 PCB 设计人员来说，底部接触冷却机制需要在PCB 设计阶段考虑热性能。例如，高效热管理的 PCB 考虑因素之一是采用热通孔。此外，PCB基板必须表现出低热阻和增强的导热性，以确保横向热量分布。

　　底部冷却也可能更容易受到环境因素的影响，例如 PCB 上残留的微小灰尘颗粒或污染物，这可能会随着时间的推移降低散热能力。

　　AONA66916 MOSFET

　　AOS 最近推出了 AONA66916 MOSFET，这是一款基于该公司 AlphaSGT 技术的 100V N 沟道器件。

　　AONA66916 最显着的特点是采用了新型 DFN 5x6 封装，在顶部和底部均提供冷却表面。具有大表面积的顶部接触可最大限度地与设备散热器接触，从而实现更好的散热和性能。修改后的封装具有 0.5°C/W 的低顶侧热阻，而采用标准 DFN 5x6 封装的 AONS66917T 的顶侧热阻为 0.58°C/W。

　　虽然这种差异看起来很小，但对于相同的结温 (175 oC)，双面冷却封装 MOSFET 可以比单面底部冷却封装多耗散 35 W。

　　除了散热之外，该器件的其他值得注意的规格包括 100 V 时 197 A 的连续漏极电流以及 VGS 为 10 V 时小于 3.4 毫欧的 RDS(on)。据该公司称，该器件非常适合应用包括DC/DC 转换器、电信和太阳能。

　　电子设计流程的前进方向

　　AOS 的封装设计是一项显着的创新，旨在使电子设计过程更加高效、可靠和灵活。通过实现更大的散热，该器件封装可以帮助确保电源系统更高的可靠性和性能，而无需担心降额。因此，DFN 5x6 双面冷却套件有可能在需要坚固型电子产品(例如军用设备和太空任务相关设备)的关键任务应用中变得可行。

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