借助最新的Field Stop 7(FS7)IGBT技术，第七代1200 V QDual3绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块，无需增加额外的热量或设计修改即可提供高达10%的功率提升。这些模块专为高要求应用而设计，非常适合用于太阳能农场的中心逆变器、能源存储系统(ESS)、商业农业车辆和工业电机驱动。

　　什么是IGBT?

　　IGBT是一种用于在各种应用中切换和放大电力的半导体器件。它们结合了mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)和BJT(双极结型晶体管)的优点，为高电压和大电流应用提供高效和快速的开关能力。

　　IGBT的主要优点包括处理高电压和大电流、快速开关速度、低导通损耗以及高输入阻抗的电压控制操作。这些特性使其适用于需要高效和精确电力控制的电力电子应用。

　　更多功率，相同占用面积

　　可再生能源的日益普及需要解决方案来管理峰值需求并确保连续的电力供应。削峰——在高峰时段减少电力使用——对于维持电网稳定性和降低成本至关重要。在这方面，onsemi的QDual3模块使制造商能够在相同占地面积内构建产生更多电力的太阳能和ESS系统，提高了能源管理和储存效率。这一能力通过将多余的电力存储在ESS中，确保尽管太阳能发电具有间歇性，但仍能平滑地将太阳能集成到电网中，确保可靠的能源流动。

　　公用事业规模的太阳能光伏农场特别具有优势，因为它们的效率高、可扩展性强，并且启动和发电成本低于化石燃料电厂。即使增加了能源存储，太阳能发电仍然具有成本效益。QDual3模块在并联时，可以显著增加输出功率高达数兆瓦。与传统的600 A模块相比，800 A QDual3模块减少了所需模块的数量，简化了设计并降低了系统成本。提供了两种变体，NXH800H120L7QDSG和SNXH800H120L7QDSG，以满足不同的应用需求。

　　最新技术

　　QDual3 IGBT采用800 A半桥配置，集成了最新的第七代沟槽Field Stop IGBT和二极管，同时onsemi的先进封装技术减少了开关和导通损耗。FS7技术实现了芯片尺寸减少30%，允许每个模块包含更多的芯片，提高了功率密度，以支持800 A或更高的电流容量。QDual3模块在175°C时的IGBT VCE(sat)低至1.65 V，并且低Eoff，使能量损失和散热比最好的替代方案低10%。

　　这些模块符合严格的汽车标准，表明它们在苛刻条件下的坚固性和可靠性。它们被设计为在太阳能农场的中心逆变器、电池储能系统、商业农业车辆和工业电机驱动中高效运行。其增强的功率密度和降低的能量损失有助于提高效率并降低运营成本。

　　“基础的半导体技术本身就是一个巨大的差异化因素，”onsemi工业电力部门产品营销总监Ajay Sattu在接受EEPower采访时表示。“因为我们实际上已经将我们的可靠性延长了几乎两倍于要求的程度。”

　　对可再生能源的影响

　　QDual3模块在可再生能源应用中尤为重要，特别是太阳能发电和能源存储。这些模块通过在相同系统尺寸内实现更高的功率输出，促进了更高效的能源生产和存储。这对于太阳能农场来说至关重要，因为最大化功率输出和管理能源存储对运营效率和成本效益至关重要。

　　此外，这些模块有助于解决太阳能能量间歇性的问题。通过将多余的电力存储在电池储能系统中，它们确保了持续的电力供应，这对于电网的稳定性和可靠性至关重要。模块的并联能力以实现更高的输出功率，进一步增强了其在大规模可再生能源项目中的适用性。

　　第七代QDual3 IGBT模块的功率密度、效率和系统复杂性降低的提高，代表了在可再生能源应用电力电子领域的显著进步。其在苛刻条件下的坚固设计和高性能使其成为各种高功率应用的理想选择，推动高效和可持续能源解决方案的未来。

浮思特科技专注功率器件领域，为客户提供igbt、IPM模块等功率器件以及MCU和触控芯片，是一家拥有核心技术的电子元器件供应商和解决方案商。