氮化镓已成为快速变化的半导体技术领域的革命性力量，在效率、功率密度和性能方面提供无与伦比的优势。GaN技术有可能彻底改变各个行业，包括消费电子、汽车、物联网和电信。

　　GlobalFoundries最近收购Tagore Technologies ，以及先锋国际半导体公司(VIS)启动的 GaN-on-QST(Qromis 衬底技术)项目为可扩展性开辟了道路，是 GaN 制造领域的重要里程碑。这些发展标志着这种宽带隙 (WBG) 材料取得了实质性进展，并具有积极的未来前景。

　　GaN技术的兴起

　　GaN 是一种具有独特性质的半导体材料，非常适合高性能应用。与传统硅相比，GaN 器件可以在更高的电压、频率和温度下工作。这些功能对于日益增长的高效功率转换和射频 (RF) 应用需求至关重要，特别是在电信、电动汽车和可再生能源等领域。

　　随着全球对能源效率的追求日益加强，GaN 技术因其能够显著降低电力电子系统中的能量损耗而受到广泛关注。从硅到 GaN 的转变不仅仅是一种趋势，它代表着向更可持续、更高效的技术的根本转变。

　　GlobalFoundries 收购 Tagore Technologies

　　作为增强其 GaN 能力的战略举措，全球领先的半导体制造商之一 GlobalFoundries 宣布收购 Tagore Technologies。Tagore Technologies 成立于 2011 年 1 月，以其用于功率控制和射频应用的尖端 GaN 基器件而闻名，这些器件包括 GaN-on-Si、GaN-on-SIC 和砷化镓。

　　Tagore Technologies 与 GlobalFoundries 的合作有望通过结合Tagore Technologies在 GaN 设计和制造方面的专业知识与 GlobalFoundries 强大的生产能力，加快下一代 GaN 设备的开发和实施。此次合作不仅将提高电力电子的效率和生产力，还将扩大 GaN 技术在电动汽车、可再生能源和电信等领域的应用。

　　通过利用WBG功能的优势，这些技术大大降低了广泛应用的复杂性、尺寸和功耗，包括5G基础设施、消费电子产品、汽车系统以及国防和公共安全应用。

　　QST 衬底由多晶 AlN 陶瓷芯材料和设计结构组成，为高产出 GaN 器件提供了一个可扩展且高效的平台。这种可扩展性也适用于生产 GaN 器件所用晶圆的尺寸。它允许制造 200 毫米晶圆，并将很快包括 300 毫米晶圆。这些晶圆可用于各种应用，范围从 100 V 到 2,000 V 甚至更高。

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