英飞凌的 CoolSIC MOSFET 1200 V 和 IGBT7 H7 1200 V 系列功率半导体采用针对工业应用量身定制的最新半导体技术和设计理念。

　　英飞凌它的电力半导体设备提供给福克斯,福克斯是可再生能源部门的一个快速发展的领先者,也是逆变器和储能系统的生产者。双方都致力于推动可再生能源的增长。英菲龙将提供它的冷却器。 莫斯费茨 1200V,该系统将与EicedR2闸门驱动程序一起用于工业储能应用。与此同时,福克斯将利用英菲永的IGBT7H71200V半导体功率器件在其弦PV逆变器。

　　近年来，全球光伏储能系统(PV-ES)市场经历了快速增长。随着PV-ES行业竞争力的不断增强，提高功率密度已成为取得成功的关键因素。因此，人们对探索提高储能应用效率和功率密度的方法产生了浓厚的兴趣。英飞凌的 CoolSiC MOSFET 1200 V 和 IGBT7 H7 1200 V 系列功率半导体器件采用先进的半导体技术和专为工业应用开发的设计原理。

　　英飞凌的 CoolSiC MOSFET 1200 V 具有高功率密度，可将损耗降低 50%，并在无需更大电池的情况下提供约 2% 的更多能量。这对于优先考虑高性能、轻量化和紧凑性的储能系统来说尤其有利。FOXESS H3PRO 储能系列的功率范围为 15 kW 至 30 kW，采用了英飞凌的 CoolSiC MOSFET，所有型号的额定电压均为 1200 V。英飞凌卓越的性能使H3PRO系列能够达到高达98.1%的效率和出色的电磁兼容性(EMC)性能。由于其卓越的性能和可靠性，H3PRO系列在全球市场的销量取得了显着的增长。

　　目前，FOXESS的主要工业和商业型号R系列75-110kW通过包含IGBT7 H7系列分立器件增强了100kW型号的整体设计，使机器效率高达98.6%。IGBT7 H7系列采用分立封装，具有低功率损耗和高功率密度，简化并优化了并联过程中均流等技术问题。每个功率器件都需要一个驱动器，选择合适的驱动器可以显着简化设计过程。

英飞凌提供各种 EiceDRIVER 栅极驱动器，型号总数超过 500 种。这些栅极驱动器的输出电流范围为 0.1 A 至 18 A，并具有各种保护功能，例如快速短路保护 (DESAT)、有源米勒钳位、直通保护、故障报告、关断、和过流保护。它们与所有功率器件兼容，包括 CoolSiC 和 IGBT。浮思特科技深耕功率器件领域，为客户提供单片机(MCU)、触控芯片等功率器件，是一家拥有核心技术的电子元器件供应商和解决方案商。