由于人工智能(AI)处理器的电力需求不断增长，服务器电源供应(PSU)需要在符合服务器机架规格的尺寸内提供更多的电力。高性能GPU的能源需求增加是这一趋势的主要驱动力。预计到本世纪末，每个芯片的能耗可能达到2千瓦或更多。

为了应对应用需求和独特客户要求的不断提升，英飞凌科技股份公司决定将SIC mosfet的开发扩展到650V以下的电压范围。该公司目前正在推出基于今年早些时候发布的第二代(G2)CoolSiC技术的新款CoolSiC™ 400V MOSFET家族。

　　英飞凌专门为AI服务器的AC/DC阶段创建了一个新的MOSFET产品组合，这一产品组合补充了英飞凌最近公布的PSU路线图。这些器件非常适用于太阳能和能源存储系统(ESS)、逆变器电机控制、工业和辅助电源供应(SMPS)以及住宅建筑的固态断路器。

　　与当前的650V SiC和Si MOSFET相比，新款家族显著降低了导通和开关损耗。AI服务器PSU的AC/DC阶段采用多级PFC，可以实现100 W/in³的功率密度，并已证明可以达到99.5%的效率。与使用650V SiC MOSFET的解决方案相比，该方案的效率提高了0.3个百分点。此外，在DC/DC阶段整合CoolGaN™晶体管，完成了AI服务器PSU的系统解决方案。通过利用高性能MOSFET和晶体管的组合，电源供应能够提供超过8 kW的电力，与现有系统相比，功率密度提高了三倍以上。

　　更新后的MOSFET系列包括总计10款产品。涵盖了五种不同的RDS(on)等级，范围从11到45毫欧。MOSFET采用Kelvin-source TOLL和D²PAK-7封装，并配有.XT封装连接技术。在T vj = 25°C下，400V的漏源击穿电压使这些组件非常适合用于2级和3级转换器以及同步整流器。组件在复杂的开关情况下表现出卓越的耐久性，并经过彻底的雪崩测试以确保其可靠性。

　　先进且耐用的CoolSiC技术以及.XT连接技术使这些器件能够处理AI处理器电力需求突变所产生的意外电力增加和波动。连接技术和低且正的RDS(on)温度系数在结温升高的情况下提供了卓越的性能。