SemiQ将1,700V SIC肖特基分立二极管和双二极管模块引入其QSiC™产品系列。新设备满足了多种高需求应用的尺寸和功率要求，如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、感应加热器、焊接设备、DC/DC转换器、太阳能逆变器和电动汽车(EV)充电站。

　　SemiQ的1,700V SiC肖特基二极管技术没有反向恢复电流，且开关损耗极低。该技术还改进了热管理，减少了对冷却的需求。因此，工程师可以设计出极高效率和高性能的系统，减少系统产生的热量，从而使用更小的散热器，降低成本和空间占用。所有新设备都能够在-55°C到175°C的不同工作结温(Tj)之间快速切换。

　　GP3D050B170X(裸片)和GP3D050B170B(TO-247-2L封装)分立二极管的最大正向电流分别为110A和151A。该设备的设计简化了并联配置，从而提升了各种电力应用的灵活性和可扩展性。

　　GHXS050B170S-D3和GHXS100B170S-D3双二极管模块是耐用的模块，采用SOT-227封装。每个组件的最大正向电流分别为110A和214A。

　　这些组件在高频下表现出卓越性能，具有低损耗和低电磁干扰(EMI)操作。通过减少干扰来最大化能源效率和可靠性。该产品的主要特点是极小的杂散电感、在高结温下的操作能力、耐用性和易于安装的内部绝缘封装(AIN)，提供了出色的绝缘和热导率。结与壳之间的低热阻确保了热量的有效散发，即使在高功率水平下运行也能保证稳定性。模块的正温度系数(Tc)使得前向电压(Vf)在并联连接时更为便利。

　　SemiQ表示，这些新开发的1,700V SiC二极管在功率效率和可靠性方面展示了显著的进步。SemiQ的QSiC™二极管具有紧凑和灵活的设计，低损耗和出色的热管理。这些二极管使客户能够开发先进和高性能的解决方案，同时降低成本并提升整体系统效率。所有组件均通过了超过1,870V的电压测试，并完成了能量高达1,250mJ的雪崩测试。

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