科学技術産業の急速な発展に伴い、第3世代半導体材料である窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SIC）が業界の注目を集めつつある。市場研究機関Yoleの最新予測によると、消費電子市場の持続的な繁栄、データセンター建設の加速、新エネルギー自動車産業の爆発的な成長のおかげで、2029年までに世界のGaN市場の容量は驚くべき22億ドルに達する見込みで、今後5年間で29%の複合成長率で力強く上昇する見通しだ。もう一つの主役SiCは、その工業と自動車応用分野で大いに異彩を放っており、市場規模は同年度に100億ドルの大台を突破する見込みで、巨大な市場潜在力と成長空間を示している。

この世界的な技術競争の中で、国際的に有名な企業である如意法半導体（ST）、英飛凌（Infineon）、Wolfspeed、安森美（onsemi）及びローム（ROHM）などは、そのリードするSiCデバイス技術によって、業績の著しい増加を実現し、前年同期比の増加幅はいずれも50%を超え、第3世代半導体技術の商業価値と市場需要を十分に示した。

国内市場に焦点を当て、中国は世界最大の新エネルギー自動車市場の一つとして、第3世代半導体の発展を推進するカギとなっている。統計によると、2023年の中国SiC/GaNパワーデバイスモジュール市場規模は約153億2000万元に達し、前年同期比45%の成長率を記録し、この分野での中国の力強い発展の勢いを示している。特に注目すべきは、第3世代半導体のパワーエレクトロニクス分野での浸透率が12%を超え、本格的に高速成長の黄金期に入ったことを示していることだ。その中で、新エネルギー自動車とその充電インフラはさらに第3世代半導体パワー電子応用の最大の舞台となり、市場占有率は70.67%に達し、新エネルギー自動車産業の先進半導体技術に対する切実な需要を浮き彫りにした。

巨大な市場チャンスに直面して、国内外の企業は次々と研究開発への投資を増やし、生産能力の拡張を加速させ、市場の先手を取る。特にSiC市場では、技術の進歩と市場競争の激化に伴い、企業は生産性の向上とコスト削減のために8インチ生産ラインに邁進している。CASAリサーチの予測によると、2027年までに、中国が発表したSiC基板の生産能力は世界の生産能力の40%以上を占め、これは第3世代半導体分野での中国の台頭を明らかにしただけでなく、世界のサプライチェーン構造の深刻な変革を予告している。

特に注目すべきは、中国企業はSiC基板分野で顕著な進展を遂げ、製品性価格比を大幅に向上させただけでなく、技術革新を通じて国際的なリーディング企業との差を効果的に短縮したことである。ここ数年来、中国の6インチ炭化ケイ素基板の価格優位性は徐々に拡大し、国際サプライヤーとの見積もりの差は当初の5%前後から30%に引き上げられており、これは中国企業が世界競争の中で貴重な価格優位性と市場空間を勝ち取ったことは間違いない。

第3世代半導体材料GaNとSiCは半導体業界の深刻な変革をリードしており、国内外の企業はこの青い海の中で激しい競争を展開し、技術革新と産業のグレードアップを絶えず推進している。将来的には、新エネルギー自動車、データセンターなどの産業の持続的な発展に伴い、第3世代半導体材料の市場見通しはさらに広がり、世界経済の質の高い発展に強力な原動力を注入するだろう。

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