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在日益激烈的全球半导体市场竞争中，东芝公司近日宣布了一项重大战略调整，将进行一场规模达5000人的裁员行动，并将重点聚焦在功率半导体等核心业务上，以应对行业变革和市场挑战。
根据记忆体类型的不同，车规MCU记忆体可以分为多种类型，包括ROM、EEPROM、Flash，以及SRAM等。
它们具有非常简单的拓扑结构;电感器是唯一的磁性部件，通常是一个恒频连续导通模式(CCM)电感器。GaN FET对PFC整流器性能的影响可以直接展示出来。
随着对越来越小、功耗更低的电子设备需求的增长，低功耗芯片设计已经成为一个基本角色。人工智能在嵌入式系统中的日益普及，正挑战着低功耗芯片设计师们去融入更高密度、更具创新性的架构和制造工艺。
近日，全球半导体技术领先企业意法半导体(STMicroelectronics)宣布，将在意大利Catania地区建设一座全新的大规模碳化硅(SiC)工厂
IGBT功率模块在功率密度和寿命方面面临着挑战。本文将介绍一种通过转模技术提升最新IGBT功率模块功率密度和寿命的方法，为电机驱动技术的发展做出贡献。
氮化镓 (GaN) 是一种宽禁带 (WBG) 半导体材料，与硅或碳化硅相比，具有优越的电性能和效率。
功率二极管是一种非线性无源电子元件，由两个端子组成：阳极和阴极。它使电流只在一个方向上通过，而在另一个方向上完全阻断
近日，三星电子宣布任命全永铉为其半导体事业部门的新任掌舵人，与此同时，竞争对手SK海力士正借助人工智能(AI)市场的高速发展，加速资本支出，以期巩固其在半导体市场的领先地位。
在电动汽车、可再生能源发电、车对车通信以及储能等电力应用中，双向开关特别有用。这些开关能够高效地控制双向能量流动，确保在各种工作条件下的可靠和安全运行。
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是两种在各种功率电子应用中最成功的宽禁带材料。它们较高的禁带宽度使其在关键电场方面相比硅(Si)提高了10倍以上。
电动汽车的性能、可靠性和安全性仍有改进的空间，汽车行业依然在积极追求这些改进。虽然电池和电机技术备受关注，但牵引逆变器的创新也同样重要。
据中国日报报道，中国政府计划投入约60亿元用于全固态电池的研发工作，旨在推动电池技术的创新和产业升级，为新能源汽车的未来发展奠定坚实基础。
集成电路(IC)已经彻底改变了数字电子学，这些IC在促进数字电子学的发展方面做出了重大贡献，提供了一系列逻辑功能和专用电路，分为不同的逻辑家族。
随着设计工程师认识到FPGA能够减少元件数量、节省电路板空间并降低电路板布局复杂性的价值，FPGA市场迅速增长。
这今天篇文章中，我们将深入研究如何通过单片机(MCU)实现逻辑门系统。这一项目代表了学习过程中的一个具体且引人入胜的步骤，不仅提供了实践之前所学理论知识的机会
SiC MOSFET在开关状态下工作，然而，了解其在某些情况下(如驱动器故障或设计师编程的特定目的)线性工作区的行为也是很有用的，今天我们就来聊聊电源设计之线性工作区中的SiC MOSFET。
为了应对应用需求和独特客户要求的不断提升，英飞凌科技股份公司决定将SiC MOSFET的开发扩展到650V以下的电压范围。
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