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SemiQ-MOD

Diode Module

GHXS030A120S-D3

GHXS030A120S-D3 SiC二极管模块是SemiQ公司为满足现代电力电子系统对高性能、高可靠性和高效率的需求而设计的。
Diode Module
产品详情

  产品名称:GHXS030A120S-D3

  类型:Diode module

  制造商:SemiQ

  产品概述: GHXS030A120S-D3是SemiQ公司推出的一款高性能碳化硅(SIC)二极管模块。这款模块采用了先进的SiC技术,为电力电子系统提供了卓越的效率和可靠性。SiC二极管以其低开关损耗、高工作温度和出色的热性能而闻名,适用于各种高要求的应用场景。

  主要特点:

  高效率:SiC材料的高带隙特性使得二极管能够在更高的频率下工作,减少了能量损耗,提高了整体系统的效率。

  高温操作:GHXS030A120S-D3能够在高达175°C的结温下稳定工作,适合在恶劣环境中使用。

  快速开关:SiC二极管的快速恢复特性使其能够实现极快的开关速度,降低了开关损耗。

  高电压能力:该模块具有1200V的反向电压额定值,能够处理高电压应用。

  紧凑设计:模块的紧凑尺寸使其易于集成到各种电力电子设备中。

  应用领域: GHXS030A120S-D3 SiC二极管模块适用于多种高效率和高功率密度的应用,包括但不限于:

  电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的充电和动力系统

  太阳能逆变器

  工业电机驱动

  不间断电源(UPS)

  高频电源转换器

  技术规格:

  反向电压(V_RRM):1200V

  正向电流(I_F):30A

  正向电压(V_F):典型值为1.5V(在30A时)

  反向恢复时间(t_rr):典型值为35ns

  结温范围(T_j):-55°C至175°C

  GHXS030A120S-D3 SiC二极管模块是SemiQ公司为满足现代电力电子系统对高性能、高可靠性和高效率的需求而设计的。其先进的技术和优越的性能使其成为各种高要求应用的理想选择。