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SemiQ-MOD

Diode Module

GHXS050B120S-D3

GHXS050B120S-D3是SemiQ公司推出的一款高性能碳化硅(SiC)二极管模块。该模块利用先进的SiC技术,旨在为电力电子应用提供卓越的性能和可靠性。
Diode Module
产品详情

  产品名称:GHXS050B120S-D3

  类型:SIC二极管模块

  制造商:SemiQ

  产品简介: GHXS050B120S-D3是SemiQ公司推出的一款高性能碳化硅(SiC)二极管模块。该模块利用先进的SiC技术,旨在为电力电子应用提供卓越的性能和可靠性。SiC二极管因其低开关损耗、高工作温度和优异的热特性而受到青睐,非常适合用于要求严格的电力转换和控制应用。

  核心优势:

  高效能:SiC材料的高带隙特性使得二极管能够在更高的频率下工作,从而减少能量损耗,提升系统整体效率。

  高温操作:GHXS050B120S-D3能够在高达175°C的结温下稳定运行,适合在极端环境中使用。

  快速开关:SiC二极管的快速恢复特性使其能够实现极快的开关速度,降低开关损耗。

  高电压能力:该模块具有1200V的反向电压额定值,能够处理高电压应用。

  紧凑设计:模块的紧凑尺寸便于集成到各种电力电子设备中。

  应用范围: GHXS050B120S-D3 SiC二极管模块适用于多种高效率和高功率密度的应用,包括但不限于:

  电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的充电和动力系统

  太阳能逆变器

  工业电机驱动

  不间断电源(UPS)

  高频电源转换器

  关键参数:

  反向电压(V_RRM):1200V

  正向电流(I_F):50A

  正向电压(V_F):典型值(在特定电流下)

  反向恢复时间(t_rr):典型值(在特定条件下)

  结温范围(T_j):-55°C至175°C

  GHXS050B120S-D3 SiC二极管模块是SemiQ公司为满足现代电力电子系统对高性能、高可靠性和高效率的需求而设计的,其先进的技术和优越的性能使其成为各种高要求应用的理想选择。

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