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那么，如何保护电子元器件以延长生命周期，解决这个问题的一种方法是在生产结束后长期储存半导体元件。该解决方案使您能够在设备的整个使用寿命期间持续供应组件。
虽然电动汽车可能是这些设备的目标应用，但任何高功率 DC-DC 转换都可以从 SiC PIM 中受益。当电力必须双向流动时(例如在车辆到电网应用中)，碳化硅提高的效率和性能可能特别有用。
MUSiCel 研究项目的目标是研究和测试创新组件和方法，为农业和建筑机械提供高效、本地零排放的能源供应。供电系统的核心是集成到车辆中的移动式紧凑型高性能DC-DC 转换器
电力系统和物联网领域的全球参与者英飞凌科技最近与全球半导体制造商 SK Siltron CSS 达成了一项协议。该协议规定SK Siltron为英飞凌生产150毫米碳化硅晶圆。
由于 MOSFET 在电源管理设计中提供关键的开关功能，因此选择具有物理、热和电气属性优化平衡的器件对于提高功率密度至关重要。功率 MOSFET 封装的最新创新提高了性能
碳化硅(SiC)作为一种新兴的半导体材料，以其更优越的性能成为了行业内的一个热门话题。让我们深入探究，碳化硅芯片是否有能力取代硅芯片，以及这一变革对未来科技的影响。
碳化硅模块以其独特的性能优势，成为了众多领域瞩目的焦点。碳化硅(SiC)是一种高性能的半导体材料，因其优异的物理、化学和电学属性，被广泛应用于电力电子、汽车、航天、核能等高端领域。
与硅相比，使用宽带隙半导体的最大改进之一是其电气性能，但这并非没有其自身的问题
本文介绍了当今照明设计人员面临的几个主要限制，并探讨了如何通过符合 AEC1 要求的新型汽车 LED 模块来解决这些问题。
更广泛的采用取决于进一步降低成本和批量生产，以满足全球电气化程度不断提高对功率半导体的强劲预测需求。在本文中，我们将讨论 工程 SiC 衬底的潜在优势。
在供给侧的可再生能源电力转换应用(例如太阳能逆变器)和需求侧的交通电气化，都是使用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)功率半导体取得优势的例子功率转换效率和功率密度。
碳化硅 (SiC) 器件具有更高的电子迁移率、更低的损耗以及在更高温度下工作的能力，因此在具有挑战性的功率应用中得到了广泛接受。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所的欧欣团队与瑞士洛桑联邦理工学院的Tobias Kippenberg团队合作，成功开发出一种新型的「光学硅」芯片，即钽酸锂集成光芯片，共同揭开了光芯片技术的新篇章。
碳化硅(SiC)MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)是一种基于碳化硅材料的功率半导体器件，它结合了MOSFET的优点和SiC材料的特性
IPM模块是一种集成电路，它集成了IGBT晶体管与驱动电路，并且常常整合了失效保护功能和系统控制接口。
半桥和全桥驱动芯片作为市场上两种主流的解决方案，它们各自拥有独特的特点和适用场合。今天浮思特将深入探讨半桥驱动芯片与全桥驱动芯片的本质区别
硅基半导体材料的传统极限逐渐显现，而碳化硅(SiC)作为一种新型宽禁带半导体材料，正以其卓越的性能在电力电子领域掀起一场革命。今天浮思特将带您深入了解SiC芯片和模块的特点
中国大陆积极推进国有企业和自主品牌的国产化任务，目标是到2025年实现芯片国产化率达到25%，并在2027年实现全面自主生产。尤其是新能源车领域，车用IC首当其冲面临挑战。
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