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在电力电子应用中，例如反激式变换器或功率因数校正(PFC)，通常需要检测开关电流，以实现峰值/谷值电流模式控制或过流保护。如表1所示，有多种方法可用于执行此任务。
市场上产品种类繁多，质量参差不齐，如何判断大功率IGBT模块的好坏显得尤为重要。本文将为您提供一些实用的判断方法，帮助您选择高品质的IGBT模块。
在现代电子产品中，显示屏驱动IC(集成电路)是不可或缺的一部分，它负责将图像信号转换为可视内容，确保用户能够获得清晰的视觉体验。然而，随着技术的进步和设备的不断小型化，驱动IC的散热问题越来越受到关注...
在现代电子设备和电力系统中，IPM(智能功率模块)扮演着至关重要的角色。随着科技的快速发展，IPM模块的应用越来越广泛，它不仅提高了设备的性能，还提升了能效，降低了能耗。
线性模式应用如A类音频放大器、主动直流链接放电、电池充放电、电流突入限制器、低压直流电机控制或电子负载等，要求功率MOSFET在电流饱和区域内工作。
在设计和实现MOS管开关电路时，上拉电阻和下拉电阻是两个非常重要的元件，它们在电路中的功能和应用各不相同。本文将详细探讨这两种电阻的区别及其在MOS管开关电路中的重要性。
随着工业自动化的快速发展，对电动马达驱动器的效能和可靠性要求越来越高。特别是在低压工业应用中，如何提高马达驱动器的效率、减小体积、降低能耗，成为了研究的热点。
随着科技的不断进步，USB(通用串行总线)已成为现代电子设备中不可或缺的一部分。无论是数据传输还是设备供电，USB都以其高效、便捷的特性被广泛应用于各种产品中。
触控IC作为现代智能设备中至关重要的组成部分，承担着用户与设备之间的交互功能。然而，随着使用时间的增加，触控IC也容易出现故障，影响设备的正常使用。那么，如何判断触控IC是否坏了呢
这两种技术的主要区别特征是带隙(或能隙)，以电子伏特(eV)为单位，SiC和GaN的带隙分别为3.2 eV和3.4 eV，是主流硅材料的三倍。
倒变降-升压电路产生的负电压的幅度可能高于或低于可用的正电压。例如，可以从 +12 V 生成 -8 V 或甚至 -14 V。
尽管GaN功率晶体管相对较新，但设计的“经验法则”已经建立并证明能够满足快速上市的目标。多年来，成功设计的七个步骤逐渐形成并得到验证，并通过持续更新的文档和客户培训得到了支持。
尽管最初存在所有技术障碍，SiC MOSFET 已在市场上确立了自己作为 IGBT 和 Si MOSFET 的高性能替代品的地位。
最初的 DC/DC 转换解决方案均为低噪声线性设计，使用简单，但有两个主要缺点。首先，输出电压必须始终低于输入电压;然而，线性稳压器效率极低，会将很大一部分供电以热量的形式耗散。
在消费类和通用工业应用中，为小型交流电动机设计逆变器的设计师面临着日益严峻的效率、可靠性、尺寸和成本限制。传统上，许多小型逆变器设计采用分立功率器件封装以及实现接口
长期以来，由于水将扫描超声换能器与IGBT模块耦合，IGBT模块无法通过声学系统进行检测。模块制造商担心，水蒸发后留下的微小残留物可能会在高功率水平下形成泄漏路径。
绝缘栅双极晶体管 (IGBT)是一种颠覆性的功率晶体管，于 20 世纪 80 年代初首次实现商业化，对电力电子行业产生了巨大的积极影响，实现了创新的转换器设计、提高了系统效率并节省了全球能源。
太阳能光伏(PV)电池将阳光转换为电能，在充足阳光下大约可以产生1瓦特的电力。光伏模块由互联的电池组成，其输出特性通过I-V曲线表示。开路电压、短路电流和最大功率点等参数对于系统设计至关重要
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