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在现代电力电子领域，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是两种常用的开关元件。它们在电力控制和转换中扮演着至关重要的角色
随着科技的发展，集成电路(IC)和电子产品的复杂性不断提升，IPM(智能功率模块)逐渐成为现代电力电子的核心组件之一。IPM不仅提高了系统的性能，还简化了设计流程。
单片机(Microcontroller，简称MCU)是一种集成电路，内部集成了中央处理器(CPU)、存储器、输入输出接口和其他功能模块，如定时器、模拟转数字转换器(ADC)等，广泛应用于自动化控制、家...
IGBT是一种重要的电子器件，广泛应用于电力电子领域，如变频器、开关电源和电动汽车等。IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的高载流能力，使其成为高效能电力控制的理想选择
基于回旋共振的实验技术用于测量半导体中载流子的有效质量，但在金属中效果不佳。在本教程中，我们将研究一些俄罗斯物理学家测试的类似技术。
本文详细介绍了一种使用并联连接的碳化硅(SiC)MOSFET构建的25 kW双有源桥(DAB)转换器的设计与性能分析。在今年PCIM欧洲博览会和会议上发表的一篇论文中
在最近的PowerUP和Fortronic会议及展览上，英飞凌科技公司展示了基于氮化镓的双向开关(BDS)，阐述了它们如何改善电源转换系统的设计，最终实现单级电源转换拓扑。
液晶显示屏驱动芯片不仅决定了显示效果的优劣，还在很大程度上影响着设备的性能和用户体验。本文将深入探讨液晶显示屏驱动芯片的工作原理、分类、应用领域，以及未来的发展趋势。
32位单片机以其强大的性能、丰富的功能和广泛的应用领域，成为了嵌入式系统中的重要组成部分。它们广泛应用于家居自动化、工业控制、医疗设备、智能家居等多个领域
正确选型半导体功率器件，对于提高系统性能、降低能耗和提高可靠性至关重要。
电源管理是电子设备设计中的一个重要方面，尤其在当前对能效和电池寿命要求日益提高的背景下，电源芯片的控制方式显得尤为关键。
MOSFET根据其工作原理和结构的不同可以分为两大类：耗尽型MOSFET(Depletion-Type MOSFET)和增强型MOSFET(Enhancement-Type MOSFET)
场效应晶体管(FET)在设计为400V-500V母线电压的逆变器中具有吸引力，相比于硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)或宽禁带(WBG)替代品，它们提供了更优的导通损耗和开关损耗。
8 位微控制器( MCU) 实现可以提供必要的构建块来创建支持通信、定制和智能控制的解决方案。
SiC MOSFET 基本上可以在 Si MOSFET 或 IGBT 的电压水平下工作，但不能以其最佳参数工作。理想情况下，SiC MOSFET 的栅极电压为 20V，以便以最小 RDSon 导通。
集成功率模块(IPM，Intelligent Power Module)作为一种新型的功率器件，因其高效、可靠及集成化程度高而被广泛应用于电动机驱动、逆变器和各类电源转换器等领域。那么，如何正确选取适...
两种常见的功率半导体器件是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。尽管它们在某些应用中可以互换使用，但它们的工作原理、特性和适用场合却大相径庭。本文将深入探讨IG...
在电子工程和嵌入式系统设计中，8位单片机(Microcontroller)是一种广泛应用的微控制器。其核心功能在于控制和处理数据，而晶振频率则是影响其性能和应用的关键参数之一。本文将详细探讨8位单片机...
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